Número do Produto do Fabricante:
TSM60NB190CI C0G
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
TSM60NB190CI C0G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 18A ITO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 33.8W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventário:
731 Pcs Novo Original Em Estoque
12896318
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TSM60NB190CI C0G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1273 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
33.8W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
ITO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Número do produto base
TSM60
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TSM60NB190CI C0G-DG
TSM60NB190CIC0G
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TSM60NB190CI
FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
TSM60NB190CI-DG
PREÇO UNITÁRIO
3.85
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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